复位电路

淩亂°似流年 2022-08-20 01:17 280阅读 0赞

51 系列单片机是高电平复位。

如果在 AT89S52 的 9 号引脚(RST)加上宽度大于 2 个机器周期的高电平，该单片机芯片就将处于复位状态。

复位时：PC = 0000H，SP = 07H，P0~P3 = FFH，其它各个特殊功能寄存器的内容皆为 0。

此后，当 RST 引脚上的降为低电平，单片机将会脱离复位，变成运行状态，从 0000H 处开始执行程序。

在 RST 引脚接上一个电阻、一个电容，即可构成“上电复位电路”。其中电阻为 10K，电容为 10uF，这是厂家推荐的数值。

上电复位电路图如下：

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[http://xiangce.baidu.com/picture/detail/684895d8e7d3b3124d971c6503c20233254a243c][http_xiangce.baidu.com_picture_detail_684895d8e7d3b3124d971c6503c20233254a243c]

其中 RST 端电压波形 VR，在上面的插图中也已经给出。

分析这个波形变化的原理，要用到“过渡过程”的知识。

从电路中可以看出，电阻和电容是串联，电容的电压、电阻的电压，加在一起，就是电源电压。

当没有开机时，这些电压都是零。

当开机后，电源 VCC 突然就出现了 +5V，此刻的电容电压是不能突变的，仍然是零。

\+5V 的电源电压，立即就全都加到了电阻上，于是 RST 端的电压 VR，在这一瞬间就出现了高电平。

之后，随着电容器不断的充电，VR 就呈指数规律下降，这就是“过渡过程”。

当 VR 下降到 3.4V，可以认为此时就脱离了高电平。从波形图中可以看出，RST 端的高电平持续时间就是 t1。

如果经过了 (3~5) RC 的时间，这个电压就可以认为降到零了。这时，就认为“过渡过程”已经是结束了。

上面所说的电压波形变化的规律，在《电路》方面的教材中，可以找到计算公式。

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在晶振为 12MHz 时，如果 RST 端的高电平持续时间 t1，超过了 2us，51单片机即可复位。

其实，使用单片机厂家所推荐的元件数值(电阻为 10K，电容为 10uF)，已经使 RST 端的高电平时间，远远超过了 2us。

哪怕，即使单片机使用的晶振频率再低一些，要求复位的时间再长一些，这个电阻、电容的数值，也都是够用的。

做而论道说这些，是什么意思呢？

呵呵，就是说，复位电路中的电阻、电容，并不需要我们自己来设计，使用厂家推荐的数值，就完全可以了。

如果偏要自己设计，那就一定是闭门造车。

因为公式中所用的 VH 这个电压值，是单片机厂家内部掌握的。我们并不能肯定就是 3.4V。所以，我们自己设计不出来合适的 R、C 的数值。

另外，有人略微的学过一些“过渡过程”的计算公式，就用 (3~5) RC 来计算高电平的时间，呵呵，这就是基本概念不清。

用 (3~5) RC 来计算，得出的电压波形，早早就是低电平了，根本就不是高电平的持续时间。

错误的计算，可见下面的链接：

[http://zhidao.baidu.com/question/515358086.html][http_zhidao.baidu.com_question_515358086.html]

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如果，想要增加“手动复位按键”，电路图就在下面：

![复位电路 - 非著名博主 - 电子信息角落][- _ - 1]

[http://xiangce.baidu.com/picture/detail/3da114262ac78f1764519bf2b2126b196144213c][http_xiangce.baidu.com_picture_detail_3da114262ac78f1764519bf2b2126b196144213c]

按键按下后，电容器放电；按键松开后，电容器从零电压开始充电，电阻上的电压波形，就和上面给出的一模一样了。

省略掉图中的 220 欧姆的电阻，也是可以的，有些成品的电路板，就是省略的。

省略后，没有太大缺陷，只是按键按下的时刻，瞬间放电电流，会很大，可能有微小火花出现。

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还看到有些参考资料，在复位电路中，增加了一个反相器。

好像是说，这样就可以把缓慢变化的波形，弄得陡峭一些，使得复位，可以可靠一些。

其实，这是多余的。

单片机的厂家，早就在芯片内部，集成了施密特反相器，用不着用户来画蛇添足。

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