CodeWarrior for S12X 调试器的D-Flash编程支持

亦凉 2022-06-07 05:23 184阅读 0赞

由于在暑假匆忙接收的嵌入式项目中需要使用特别大的数组，非分页RAM的内存不够用了，没办法，硬着头皮尝试使用分页RAM，但是完全没有单片机的基础，导致极其的困难。之前写程序都是按照纯软件的思维，主要考虑架构，不会考虑到每个变量具体存在哪个物理地址这么底层的问题，结果被飞思卡尔这分页地址、prm文件什么的搞得一头雾水，而网上的资料又少，讲的又大同小异的笼统，最后写出来的程序因为这分页地址的原因存在各种问题(还以为把变量放到分页RAM了，结果现在稍微懂了点回去看，发现其实很多根本还是分配在非分页区。晕倒~。但是居然还能相对正常运行也是很神奇)。这些天各种找相关的资料，结果发现在CodeWarrior的官方文档资料里其实把我想知道的都讲的很清楚了(还是官方文档给力，以后学什么东西直接找官方文档，不去到处找网上一堆零零散散的资源来学了)。本着学习的态度，将逐步把官方文档翻译一遍，供大家一起交流学习进步。

翻译的资料是公开的，我想应该不会有什么版权问题，如涉及版权问题，请联系我删除文章，原文档在这里([https://www.nxp.com/pages/codewarrior-development-studio-for-hcs12x-microcontrollers-classic-ide-v5.2:CW-HCS12X?&tab=Documentation\_Tab&linkline=Users-Guides][https_www.nxp.com_pages_codewarrior-development-studio-for-hcs12x-microcontrollers-classic-ide-v5.2_CW-HCS12X_tab_Documentation_Tab_linkline_Users-Guides])，另感谢NXP提供的学习资料。

--------------------

# S12P、S12XEx、S12XS版本的HI-WAVE中的D-Flash编程支持 #

译者注：译者博客([http://blog.csdn.net/lin\_strong][http_blog.csdn.net_lin_strong])，转载请保留这条。此为官方文档TN263，仅供学习交流使用，请勿用于商业用途。

这个文档描述了怎么在D-Flash/EEPROM中加载初始化的变量。这个特性只用于**large**地址模型。  
用于下列设备的Flash编程算法包含对这些区域的编程支持。为了有效率的使用它，需要调整项目。  
这篇文档解释了怎么调整项目以使能编程D-Flash。

## 支持的设备 ##

这个特性用于以下设备：  
S12XEP100  
S12XEP768  
S12XEQ512  
S12XEQ384  
S12XEG384  
S12XES384  
S12XET256  
S12XEA256  
S12XEG128  
S12XEA128

S12XS256  
S12XS128  
S12XS64

S12P128  
S12P96  
S12P64  
S12P32

## 调整项目 ##

可能需要调整项目配置以使能编程支持，这与在链接器配置文件和(当如果需要加载S-record格式数据时)烧写器命令文件中的内存区域定义有关。

### PRM文件 ###

PRM文件需要在满足以下前提下定义D-Flash区域：  
D-Flash segments应该使用24位逻辑地址定义。  
比如，应该在S12XEP100的PRM文件**SEGMENT**列表中包含D-flash定义：

EEPROM_00 = READ_ONLY 0x000800 TO 0x000BFF;
    EEPROM_01 = READ_ONLY 0x010800 TO 0x010BFF;
    EEPROM_02 = READ_ONLY 0x020800 TO 0x020BFF;
    ...
    EEPROM_1F = READ_ONLY 0x1F0800 TO 0x1F0BFF;

应该在**PLACEMENT**列表中把常量放到D-flash中，比如：

/* constant variables */
    ROM_VAR INTO EEPROM_00, EEPROM_01, EEPROM_1F;
    myseg0 INTO EEPROM_02;

### S-record生成 ###

取决于你的应用要干什么，可能你需要加载S-record文件，在这种情况下，你可能需要调整烧写器脚本文件(burner.bbl)以包含需要的区域到生成的S19镜像中。下面是S12XEP100 .bbl文件的片段：

...
    /* logical banked D-flash to logical */
    len = 0x000400
    origin = 0x000800
    destination = 0x000800
    SENDBYTE 1 "%ABS_FILE%"
    origin = 0x010800
    destination = 0x010800
    SENDBYTE 1 "%ABS_FILE%"
    origin = 0x020800
    destination = 0x020800
    SENDBYTE 1 "%ABS_FILE%"
    ...
    origin = 0x1F0800
    destination = 0x1F0800
    SENDBYTE 1 "%ABS_FILE%"
    ...

### 调试 ###

在调试时，可以在Connection菜单的Flash菜单项中找到擦除D-Flash区域的选项(Connection的名字是和当前使用的链接一致的)。

![非易失性内存控制][SouthEast]

[https_www.nxp.com_pages_codewarrior-development-studio-for-hcs12x-microcontrollers-classic-ide-v5.2_CW-HCS12X_tab_Documentation_Tab_linkline_Users-Guides]: https://www.nxp.com/pages/codewarrior-development-studio-for-hcs12x-microcontrollers-classic-ide-v5.2:CW-HCS12X?&tab=Documentation_Tab&linkline=Users-Guides
[http_blog.csdn.net_lin_strong]: http://blog.csdn.net/lin_strong
[SouthEast]: /images/20220607/a9369174454d4413ad9d1dcff386332d.png