内存、ram、sram、dram、rom、eprom、epprom、flash、norflash、nandflash的区别

﹏ヽ暗。殇╰゛Y 2022-05-14 03:42 235阅读 0赞

1、内存  
     什么是内存呢？在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并用其存储数据的部件，存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路，内存只用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程序和数据就会丢失。

2、ram---Random Access Memory  
    “随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器。也叫主存(内存)。存储单元的内容可按需任意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所须要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的。读取或写入顺序訪问（Sequential Access）存储设备中的信息时，  
其所须要的时间与位置就会有关系。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。

3、sram---static ram  
   是一种具有精巧存取功能的内存，静态随机存取存储器採取多重晶体管设计。不须要刷新电路即能保存它内部存储的数据，特点为高性能、低集成度、速度快、体积较大。SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

4、dram---dynamic ram  
    DRAM动态随机存取存储器中每一个存储单元由配对出现的晶体管和电容器构成，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

5、DDR RAM  
    DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

6、rom---Read Only Memory  
     只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定 ，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。除少数品种的只读存储器（如字符发生器）可以通用之外，不同用户所需只读存储器的内容不同。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。  
    rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了prom，能够自己写入一次。要是写错了，仅仅能再换一片。后来又出现了可多次擦除写入的EPROM。每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下。

7、eprom---Erasable Programmable Read-Only Memory，  
EPROM需用紫外光长时间照射才能擦除，使用很不方便。

8、eeprom---Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory  
    电可擦除可编程仅仅读存储器”，是相对于紫外擦除的eprom来讲的。克服了EPROM的不足，但集成度不高 ，价格较贵。

9、flash  
    又叫闪存，flash属于广义的EEPROM，由于它也是电擦除的rom。可是为了差别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM。我们都叫它flash。flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位。其集成度高、功耗低 、体积小 ，又能在线快速擦除 ，因而获得飞速发展，并有可能取代现行的硬盘和软盘而成为主要的大容量存储媒体。大部分只读存储器用金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管制成。flash分为nor flash和nand flash。

10、nor flash  
Norflash数据线和地址线分开，读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，按字节读取，按块擦除，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

11、nand flash

NAND Flash数据线和地址线复用，没有采取内存的随机读取技术，按页(512)读取，按块擦除，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

12.nandflash 和norflash性能比较：

l ）NOR的读速度比NAND稍快一些。

2） NAND的写入速度比NOR快很多。

3 ）NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

4 ）大多数写入操作需要先进行擦除操作。

5 ）NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。  
一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的'闪盘'，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。