OK6410系列初始化SDRAM并将代码拷贝到SDRAM中运行

深碍√TFBOYSˉ_ 2022-01-06 10:59 214阅读 0赞

所需源文件：crt0.s（启动文件）、sdram\_led\_c.c(包含main函数和sdram初始化函数、时钟初始化函数)、sdram.lds（连接依赖文件，代码重定位连接定义）、makefile（一键编译）

启动从头文件开始，

首先是硬件配置，通知外设地址，设置外设大小

之后将看门狗关闭

之后bl进入clock\_int,初始化时钟，HCLK=133MHZ

首先设置变频锁定时间，设置时钟模式为异步模式，等待异步模式设置成功

设置时钟线的分频系数，根据你需要的外设来,从晶振一直到最终的时钟输出，这里面只用到了HCLK所以只设置了DIV\_ARM,DIV\_HCLKX2,DIV\_HCLK,DIV\_PCLK.

设置锁相环的输出频率

是能锁相环，程序跳回。

具体配置如下：

首先是时钟图：

ARM时钟、AXI/AHB/APB时钟

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70][]

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 1][]去哪不用管，没用到

首先设置锁频时间

![20190626214951577.png][]

拉满，所谓锁频时间，即系统时钟不输出，等待输出时钟达到设定值的一段时间，如下图红框即为锁频时间：

![/images/20211227/15f3a90af4c042a48bfd54a3f36bb796.png][https_img-blog.csdn.net_20171205110106976_watermark_2_text_aHR0cDovL2Jsb2cuY3Nkbi5uZXQvcXFfMzYwMjgwMzc_font_5a6L5L2T_fontsize_400_fill_I0JBQkFCMA_dissolve_70_gravity_SouthEast]

没啥特殊情况就，拉满

第二步设置同步模式并选择时钟源

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 2][]

就给这个寄存器赋值\[7:6\]一个是同步模式一个是时钟源

设置之后查询该寄存器\[11:8\]看是否设置成功，成功了进行下一步设置锁相环PLL

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 3][]

（锁频的寄存器地址也在这）

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 4][]

APLL和MPLL的寄存器一样，主要是设置几个DIV参数，会计算出不同的输出频率，公式如下图：

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 5][]

并贴心的给了常用参考：

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 6][]

Epll也基本一样不过他是特殊外设时钟，慢一点并且输出频率更加细分，所以参数多了点

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 4][]

多了个KDIV，看公式你就懂了

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 7][]

有个指数的倒数，可以除的很小很小，同样，常用频率配置如下

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 8][]

把这些都设置完，就可以使能你的PLL了

![20190626214951607.png][]

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 9][]

前面的与本实验无关，后三位选择器的输入选择为PLL，这样时钟线的频率就是PLL倍频后的了。

如果你需要其他外设时钟就在时钟图里找到它，把他途经的寄存区找到并设置，再配置好PLL的频率，再在时钟源处选择，就可以啦。

接下来要初始化sdram，此时程序还在内存里面跑，所以堆栈设置为4\*1024（8k内存就是8\*）

接下来bl进sdram\_init

DRAM控制器初始化流程：

（1）以‘3’b100’执行memc\_cmd，使得DRAM 控制器输入‘配置’状态。

（2）写存储器时间参数，芯片配置和ID 配置寄存器。

（3）等待200μs 来使SDRAM 电源和时钟稳定。当CPU 开始工作时，电源和时钟已经被稳定下来。

（4）执行存储器DDR初始化顺序。

（5）以‘3’b000’执行memc\_cmd，使得DRAM 控制器输入‘准备’状态。

（6）在memc\_stat 中检查存储器状态域，直到存储器状态变为‘2’b01’，即‘准备’。

DDR 初始化流程：

（1）在direct\_cmd，以‘2’b10’执行mem\_cmd，使得DRAM 控制器产生‘NOP’存储器命令。

（2）在direct\_cmd，以‘2’b00’执行mem\_cmd，使得DRAM 控制器产生‘Prechargeall’存储器命令。

（3）在direct\_cmd，以‘2’b11’执行mem\_cmd，使得DRAM 控制器产生‘Autorefresh’存储器命令。

（4）在direct\_cmd，以‘2’b10’执行mem\_cmd，使得DRAM 控制器产生‘MRS’存储器命令。EMRS 块地址必须被设置。

（5）在direct\_cmd，以‘2’b10’执行mem\_cmd，使得DRAM 控制器产生‘MRS’存储器命令。MRS 块地址必须被设置。

（6）在direct\_cmd，以‘2’b11’执行mem\_cmd，使得DRAM 控制器产生‘Autorefresh’存储器命令。

（7）在direct\_cmd，以‘2’b11’执行mem\_cmd，使得DRAM 控制器产生‘Autorefresh’存储器命令。

（8）在direct\_cmd，以‘2’b11’执行mem\_cmd，使得DRAM 控制器产生‘Prechargeall’存储器命令。

具体配置如下：

向MEMCCMD写0x4将DRAM控制器状态改为配置模式

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 10][]

再设置DDR刷新周期7.8us，(7800/( 1000000000/HCLK)+1)写入P1REFRESH HCLK为133MHZ

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 4][]

设置DDR时序参数，P1CASLAT写入0110，设置预充电时间

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 11][]

设置DQS的时钟周期，写0x1，0.75 - 1.25时钟周期

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 12][]

设置模式寄存器命令时间，写入2,最小为2个周期

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 10][]

设置RAS预充电的延时，45us

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 12][]

选择与激活BANK页的时钟x延时，68us

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 13][]

设置RAS的最小充电延时，设置模式是5:3为2:0减3，这里设置为22.5us

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 2][]

命令自动刷新时间，80us，高5位为第5位减3

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 14][]

预充电实现为RAS延时，22.5us

![20190626214951670.png][]

选择与激活BANK页的时钟y延时，15us

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 15][]

写延时，15us

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 13][]

写入后的读取延时，0x7

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 16][]

退出电源关闭的命令时间，0X2

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 17][]

设置自刷新命令时间和退出自刷新令令时间，120us

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 18][]

设置MEMCFG，\[2:0\]列地址010,10位\[5:3\]行地址010，13位，AP位设置为0,10位\[17:15\] 设置Burst大小，010,4

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 19][]

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 20][]

设置MEMCFG2，\[3:0\]设置为0101，与时钟设置有关，ACLK高于MCLK后两位为10，一样则为01，第三、四位为重启之后的dqm、cke输出级别。

\[7:6\]设置位宽01=32位

\[10:8\]设置SDRAM类型011=Mobile DDR SDRAM

\[12:11\]设置延迟是周期，01=延迟1周期

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 21][]

选择AXI的解码方式，1=bank-row-colum

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 22][]

开始DDR初始化

// NOP空操作  // precharge预充电  // auto refresh自刷新  ;// auto refresh  // EMRS  // MRS  具体内容根据DRAM的datasheet

![watermark_type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk_shadow_10_text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3FxXzI0ODg0OTAx_size_16_color_FFFFFF_t_70 23][]

将Xm1DATA设置为DMC1的数据线，根据原理图决定

![20190626214951799.png][]

P1MEMCCMD写0x00，使DRAM控制器进入“准备状态”

读取P1MEMSTAT是否已经为准备状态，完成DDR初始化。

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[20190626214951799.png]: /images/20211227/f8f36da2cfd9474193a53e63bb4b21bd.png